有望提升NAND Flash存儲容量8倍

　　英國 Glasgow University 正在研發可以進一步提升存儲容量取代現有 NAND Flash 的物料，捨棄傳統金屬氧化物半導體改為採用多金屬氧鹽酸化合物，能同等佔用空間大幅提升儲存能力高達 8 倍，將適用於智能手機、平板電腦以至更細小的智能裝置等裝置中。

　　智能裝置的儲存裝置主要採用 NAND Flash ，採用金屬氧化物半導體制程，這種制程現時已達至 15nm 水平，但要進一步突破至 10nm 以下將會碰到物理上的局限性，因此限制了裝置大小以及儲存空間，而且寫入次數及壽命將會下降。 

　　英國 Glasgow University 正在研究以分子物料擴展 NAND Flash 的存儲裝置空間，有別於現時採用金屬氧化物半導體，改用多金屬氧鹽酸化合物，合作可發揮存儲能力的分子，實驗顯示這種分子的結構穩定性和通電能力都符合要求，相較傳統 NAND Flash 效提升儲存空間高達 8 倍。

　　負責此項研究的英國 Glasgow University 教授 Lee Cronin 表示，或用「多金屬氧鹽酸」的化合物好處是能直接應用於現有 NAND Flash 的生產線中無需要重新設計現有 NAND Flash ，將可擴大現有智能裝置儲存容量，現時團隊正要克服數據存儲存的物理性局限性，目標是把分子物料制作的 NAND Flash 寫入次數提升至傳統物料的水平相同。