Samsung 下代旗艦手機將使用 512GB eUFS

Samsung 最新宣佈已經開始批量生產業內首款 512GB eUFS 解決方案，以用於下一代移動設備，採用 Samsung 最新的 64 層 512-Gigabit V-NAND 晶片，為即將推出的旗艦智能手機及平板電腦提供新的 512GB eUFS 封裝 。

Samsung 全新 512GB eUFS 解決方案由 8 片主控制器封裝而成，使用 Samsung 64 層 512Gb V-NAND 晶片，是以往 48 層 V-NAND 256GB eUFS 的兩倍，全新的高容量 eUFS 可讓旗艦型智能手機能夠存儲大約 130 段 10 分鐘的 4K Ultra HD ( 3840 x 2160 ) 視頻影片，而 64GB eUFS 只能存儲大約 13 部出高十倍之多。

性能方面，Samsung 官方資料顯示 512GB eUFS 的連續讀取最高可達 860MB/s、寫入 255MB/s，隨機讀取為 42,000IOPS、寫入 40,000 IOPS，能夠在 6 秒內將 5GB 的全高清視頻片段傳輸到 SSD，速度比典型的 microSD 卡提高了 8 倍，讓用戶可以享受無縫的多媒體體驗，更有奕地進行高解析度連拍、文件及視頻下載雙應用程式搜索模式等。

為了最大限度發揮 512GB eUFS 的性能和能源效率，Samsung 推出了一套新的專有技術，512GB eUFS 控制器採用 64 層 512Gb V-NAND 先進的電路設計及新的電源管理技術，避免不必要的能源消耗，同時控制器晶片加速了由 Logical Address 邏輯區塊位址轉換為 Physical Address 物理區塊位址的過程。

同時，Samsung 計劃積極增加 64 層 512Gb 及 256Gb FLASH 的產能，並在未來用於 SSD 產品。