美日企業聯手研發次世代記憶體規格

　　業界正在研發一種全新的記憶體技術取代沿用的 DRAM ，採用磁阻隨機存取原理的 MRAM ， Everspin  Technologies 日前展示了 4MB 的 MRAM 工程樣本，代號為「EV2A16A」MRAM 顆粒，設計相容 SRAM 顆粒因此現有使用 SRAM 控制器的裝置無需重新設計，即可改用 MRAM 顆粒。

　　現時美日兩國多家企業正在聯手組織研發團隊，包括 Micron 、 Tokyo Electron 、 Shin-Etsu Chemical 、 Renesas Electronics 、 Hitachi 等半導體公司，研發團隊將於遠藤哲夫教授領導，預計明年 2 月開始研發工作。

　　MRAM 與 DRAM 不同， DRAM 主要是電荷或電流記錄資料， MRAM 則採用了磁存儲，斷電並不會令資料遺失，功率消耗僅為 DRAM 的 1/3 ，但容量和寫入速度都可以達到 DRAM 的 10 倍，將有助下一代 Smart Phone 、 Tablet 產品提升電池續航力，提升記憶體容量和速度。

　　由於產品仍在研究階段，距離待商業化仍有一段距離，預計 MRAM 要到 2018 年才有機會作功量產。